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刘献铎.新的压电薄膜——Ta
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[J].,1986,5(1):48
新的压电薄膜——Ta
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中文摘要
:
据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta
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,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观察到了这种薄膜的压电现象.用叉指换能器在Ta
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薄膜上成功地激发了声表面波.在Ta
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/熔石英基片上,当薄膜厚度h在hk（=2πh/λ）=1.0时,其机电耦合系数k
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=0.5％,它可与熔石英基片上ZnO薄膜的机电耦合系数相比拟. 利用Ta
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单晶的X射线衍射数据,推断出Ta
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英文摘要
:
DOI：
10.11684/j.issn.1000-310X.1986.01.017
中文关键词
:
Ta
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压电薄膜
熔石英
压电现象
叉指换能器
石英基片
单晶薄膜
机电耦合系数
声表面波延迟线
溅射法
英文关键词
:
基金项目
:
作者
单位
刘献铎
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:
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