文章摘要
刘献铎.新的压电薄膜——Ta2O5[J].,1986,5(1):48
新的压电薄膜——Ta2O5
  
中文摘要:
      据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta2O5,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观察到了这种薄膜的压电现象.用叉指换能器在Ta2O5薄膜上成功地激发了声表面波.在Ta2O5/熔石英基片上,当薄膜厚度h在hk(=2πh/λ)=1.0时,其机电耦合系数k2=0.5%,它可与熔石英基片上ZnO薄膜的机电耦合系数相比拟. 利用Ta2O5单晶的X射线衍射数据,推断出Ta2O5
英文摘要:
      
DOI:10.11684/j.issn.1000-310X.1986.01.017
中文关键词: Ta2O5  压电薄膜  熔石英  压电现象  叉指换能器  石英基片  单晶薄膜  机电耦合系数  声表面波延迟线  溅射法
英文关键词: 
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作者单位
刘献铎  
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