今天是
首页
期刊简介
编委会
投稿指南
过刊浏览
期刊订阅
弘扬科学家精神
联系我们
文章摘要
刘献铎.新的压电薄膜——Ta
2
O
5
[J].,1986,5(1):48
新的压电薄膜——Ta
2
O
5
中文摘要
:
据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta
2
O
5
,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观察到了这种薄膜的压电现象.用叉指换能器在Ta
2
O
5
薄膜上成功地激发了声表面波.在Ta
2
O
5
/熔石英基片上,当薄膜厚度h在hk（=2πh/λ）=1.0时,其机电耦合系数k
2
=0.5％,它可与熔石英基片上ZnO薄膜的机电耦合系数相比拟. 利用Ta
2
O
5
单晶的X射线衍射数据,推断出Ta
2
O
5
英文摘要
:
DOI：
10.11684/j.issn.1000-310X.1986.01.017
中文关键词
:
Ta
2
O
5
压电薄膜
熔石英
压电现象
叉指换能器
石英基片
单晶薄膜
机电耦合系数
声表面波延迟线
溅射法
英文关键词
:
基金项目
:
作者
单位
刘献铎
摘要点击次数
:
2098
全文下载次数
:
1029
查看全文
查看/发表评论
下载PDF阅读器
关闭
