Page 157 - 《应用声学》2024年第1期
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第 43 卷 第 1 期   高碧珍等: 硅油介质中矩形电容式微机械超声换能器发射与接收声场特性研究                                          153


             空腔、边缘固支、绝缘层、衬底、下电极组成,如                            运动,辐射出相应频率的超声波。当CMUT处于接
             图 1 所示。CMUT 工作模式可分为两种,包括发射                        收模式时,只在上下电极间施加直流偏置电压,振
             模式和接收模式。当CMUT 处于发射模式时,在上                          动薄膜处于平衡状态,当介质中传播的超声波作用
             下电极间施加直流偏置电压 (V dc ),产生的静电力                       在振动薄膜时,薄膜做往复运动,CMUT 空腔间距
             使振动薄膜垂直向下弯曲变形,因薄膜有一定的回                            发生改变,引起极板间电容变化,产生电流信号,
             弹力,在两种力的作用下,薄膜达到平衡状态,此                            经过跨阻放大电路等处理,实现超声波的电信号
             时施加频率为 f 的交流电压 (V ac ),激励薄膜做往复                    接收   [22−23] 。
                                                                      ʽႃౝ
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                                                                      ʾႃౝ
                                                   图 1  CMUT 结构示意图
                                              Fig. 1 Structural diagram of CMUT
                 图 2 所示为自主研制的矩形 CMUT,表 1 为主
                                                               2 CMUT换能器指向性理论及仿真
             要结构参数。该 CMUT 由 900 (30 × 30) 个微元并
             联构成,利用传统的硅晶圆键合工艺制备而成                       [8] 。  2.1  矩形CMUT指向性理论
             CMUT 阵元芯片的下电极通过环氧树脂导电胶粘
                                                                   指向性是CMUT发射/接收响应的幅度随主波
             接于电路板上,上电极通过引线与电路板金属焊点
                                                               束角扫描变化的特性           [24] 。指向性的好坏对超声成
             连接,从电路板上引出上下电极的测试导线。
                                                               像效果有着显著影响,主瓣宽度越窄,成像分辨率
                         表 1   CMUT 结构参数                       越高。CMUT发射/接收超声的过程即为CMUT的
                Table 1 Structure parameters of CMUT           振动过程,往往将其看作为一个振动系统进行分析,

                                                               考虑 CMUT 的实际振动情况去计算声场较为复杂,
                           参数                   值
                                                               CMUT 单个微元尺寸微小,近似为活塞,因而可将
                  CMUT 换能器尺寸/µm              7000×7000
                  微元数量                       900(30×30)        不同频率下的微元振动都等效为活塞振动去分析
                  硅薄板厚度/µm                      2.83           CMUT声场。
                  真空腔体直径/µm                     180                对于 CMUT 圆形微元,半径为 R,由贝塞尔函
                  真空腔体高度/µm                     0.65           数的性质可知,当 x = 0 时,J 1 (x)/x = 1/2,J 1 表示
                  真空腔体底部绝缘层厚度/µm                0.15
                                                               第1类一阶贝塞尔函数,其发射指向特性为
                  金属上电极直径/µm                    90

                                                                              (p a )    2J 1 (kR sin θ)
                  金属上电极和下电极厚度/µm                 1                    D(θ) =      θ  =              ,   (1)
                                                                             (p a )       kR sin θ
                  硅衬底厚度/µm                      430                              θ=0
                                                               其中,波束数 k = 2π/λ,θ 为声线与 z 轴正方向的
                                                               夹角。
                                                                   CMUT 阵元是由多个圆形微元排列组成的二
                                                               维矩形平面,如图 3 所示。dx、dy 分别为沿 x 轴和
                                                               y 轴方向的各微元间中心间距。阵元指向性函数可
                                                               由微元结构的指向性函数通过加法定理和乘积定
                                                               理组合而成,假设二维矩形平面阵元由 M×N 个
                          图 2  CMUT 换能器芯片
                     Fig. 2 Structural diagram of CMUT         CMUT微元组成,根据 Bridge乘积原理              [25] ,该阵元
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