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             控制系统性能的因素进行了系统研究,包括次级源                                            z/m
             的数量和位置、噪声频率、窗户厚度、初级噪声的入
             射角度等,发现次级源位于窗户厚度方向的中间位                                                    ௄ᬍܸᬪ౜
             置时降噪效果最好,此外还比较了次级源分布在整
             个窗户以及边界附近这两种配置的降噪量,发现次                                                          l z
             级源分布在整个窗户的降噪量更高。
                                                                               O               y/m
                 2016 年,Hanselka 等  [26]  在一倾斜打开的窗户                              Ѻጟູ       l x
             处安装有源噪声控制系统,比较了 5 种误差传声器                                                            ൓ጟູ
                                                                                 l y             ឨࣀ͜ܦ٨
             和次级源配置,实验中发现误差传声器附近的障碍                                    x/m
             物对降噪效果有很大影响,次级源的箱体阻挡声音                                       图 1  平面型虚拟声屏障示意图
             传播,对降噪效果的影响也不能忽略。Carme等                    [27]      Fig. 1  Schematic diagram of a planar virtual
             对开口窗户传播噪声进行了主被动结合控制,利用                               sound barrier
             管道结构和吸声材料进行被动控制,在此基础上引
             入有源噪声控制技术,发现可将原有被动降噪量提                                以 l x = 0.432 m、l y = 0.670 m、l z = 0.598 m,
             升 13.5 dB (8 dB(A))。Murao 等   [28]  提出将所有误        初级源位于 (0.1, 0.1, 0.1) m 为例,当 z = 0.498 m
             差信号相加作为一个新的误差信号,从而将输入通                            平面均布如图 2 所示的 6 个次级源时,降噪前后辐
             道数减少为 1,该方法在垂直于窗户的平面内得到                           射声功率级和降噪量见图 3(a)。图3(a) 中大部分频
             的降噪量接近传统多通道有源噪声控制系统的降                             率的降噪量高于 20 dB,证明该平面型虚拟声屏障
             噪量,但运算量显著减少。                                      可有效控制腔内声源通过开口辐射到外界的噪声。
                 尽管现有研究中有在开口处安装有源控制系                           170 Hz 附近降噪量接近 0,原因是位于 z = 0.498 m
             统控制辐射噪声的实例,但尚有很多问题没有解决。                           平面的次级源无法在该频率产生有效的声辐射。
             2015年以来,我们对室内声源通过开口声辐射的有                          图 3(b) 是相同源强的初级源和其中一个次级源的
             源控制进行了一系列研究工作,以减小有源噪声控                            辐射声功率级随频率变化曲线,可明显看出,次级源
             制系统对开口功能的影响为目标,逐步对次级源配                            在 170 Hz 附近的辐射声功率级比初级源低 10 dB
             置进行优化,提出了平面型虚拟声屏障、单层边界虚                           以上。
             拟声屏障和双层边界虚拟声屏障的概念,并探究了                                为探究平面型虚拟声屏障的降噪机理,表 1 列
             降噪机理和系统极限降噪性能              [29−32] 。本文对这部         出了仿真中降噪前后初级源和次级源的辐射声功
             分工作进行总结和概述,并讨论了未来的研究方向。                           率,频率为 104 Hz。由表1 可见,降噪后初级源辐射

                                                               声功率明显减小,次级源辐射声功率很小,故降噪机
             2 用于开口声辐射控制的虚拟声屏障
                                                               理主要为减小初级源的辐射声阻抗。
             2.1 平面型虚拟声屏障实现方法和降噪机理                                          0.670

                 平面型虚拟声屏障示意图见图 1               [29] 。矩形腔
             体五面刚性、一面开口,长、宽、高分别为 l x 、l y 和
             l z ,噪声源为点源,位于腔体内部,其噪声只能通
             过开口传播到腔体外。次级源均匀布放在开口附                                         y/m  0.335
             近一平面上,误差传声器均匀布放在开口面,构成
             平面型虚拟声屏障,目标是降低初级源经开口向
             外的声辐射。为方便计算理论声压传递函数,假
             设开口位于一无限大障板上              [29] 。以系统总辐射声                           0 0    0.216   0.432
             功率作为代价函数优化次级源源强,各点声源的                                                     x/m
             声功率由 W = Re{p q}/2 计算得到,式中 p 为该点                       图 2  平面型虚拟声屏障中 6 个次级源的位置
                               ∗
             源所在位置的声压,p 为 p 的共轭复数,q 为点源                           Fig. 2 The positions of the six secondary sources
                                 ∗
             源强  [33−34] 。                                        in the planar virtual sound barrier system
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