Page 24 - 应用声学2019年第2期
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                 为使 FCAOM 同时兼顾小于 10 ns 的光脉冲上                   件的光路耦合过程还包含了偏振耦合                  [6] 。器件实物
             升时间和大于 55 dB 的通断消光比,FCAOM 的                       见图 6,实测光脉冲响应见图 7、图8,器件全性能参
             设计工作频率确定为 200 MHz,结合图 3 和图 4,                     数实测结果见表 1。1064 nm 样品实测上升时间为
             1064 nm 波长器件的光纤 -透镜间隙参数需控制在                       9.74 ns(平均值),通断消光比为 61.26 dB;1550 nm
             250 µm∼278 µm之间;1550 nm 波长器件需控制在                  器件实测上升时间为 9.22 ns(平均值),通断消光比
             365 µm∼395 µm 之间;经平衡各项指标,最终分                      为 56.81 dB;实测光脉冲上升时间与图 5 的理论仿
             别确定为 261 µm 和 388 µm。图 5 为 FCAOM 的光               真结果偏差分别为0.34 ns和0.12 ns。
             脉冲响应仿真结果,1064 nm 器件的光脉冲上升时
             间理论值为 9.4 ns,通断消光比理论值为 62.7 dB;
                                                                            表 1  器件实测性能参数
             1550 nm器件的光脉冲上升时间理论值为9.1 ns,通
                                                                  Table 1  The measured performance pa-
             断消光比理论值为57.1 dB。                                     rameters of the devices

             4 器件制作及性能实测结果                                             指标名称                 实测性能参数
                                                                    中心波长/nm              1064        1550
                 为验证理论设计结果,分别制作了 1064 nm、                           工作频率/MHz            200.00      200.00
             1550 nm 两个中心波长的 FCAOM 器件,器件的压                          光脉冲上升时间/ns           9.74        9.22
             电换能器采用 LN 晶片,利用真空压焊技术键合于                               插入损耗/dB              1.85        4.04
                                                                    通断消光比/dB             61.26       56.81
             TeO 2 晶体上,利用专用工装对C-lens透镜与晶体间
                                                                    偏振消光比/dB             21.82
             的空间位置进行耦合调试,并固化于器件管壳内,其
                                                                    驱动功率/W               1.80        2.20
             中 1064 nm 器件由于采用了保偏光纤输入输出,器








                                     (a) 1064 nmฉ᫂٨͈ࠄྭ               (b) 1550 nmฉ᫂٨͈ࠄྭ
                                                       图 6  器件照片
                                                 Fig. 6 Photos of the devices
                                62.2
                                52.2
                                42.2
                               ࣨϙ/mV  32.2
                                22.2
                                12.2
                                 2.2
                               -7.8
                               -17.8
                                 -78  -58   -38  -18    2     22   42    62   82    102   122
                                                             ௑ᫎ/ns
                                            图 7  1064 nm 器件的实测光脉冲时域响应
                                Fig. 7 Measured optical pulse temporal response of the 1064 nm device
                                79.2
                                69.2
                              ࣨϙ/mV  59.2
                                49.2
                                39.2
                                29.2
                                19.2
                                9.2
                                 -74.8  -54.8  -34.8  -14.8  5.2  25.2  45.2  65.2  85.2  105.2  125.2
                                                             ௑ᫎ/ns
                                            图 8  1550 nm 器件的实测光脉冲时域响应
                                Fig. 8 Measured optical pulse temporal response of the 1550 nm device
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