Page 132 - 《应用声学》2022年第6期
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                             ௄ܦߦॲፇ౞ ॲื଍ᔇྟܦԍڏ                        ҫКܦߦॲፇ౞ ॲื଍ᔇྟܦԍڏ
                                              1.5       9                             2        8
                                               1.0                                             7
                                                 0.5    8                              T 3  mm
                                                T 3  mm
                                                                                        1
                                                   0    7                                      6
                                                   300                                    0
                                                   0    6                                 400  5  (10 4  N/m 2 )
                                                        5  (10 4  N/m 2 )                      4
                                              3         4                                 0
                                        2                                           3   4      3
                                   1  T  mm           3                       2              2
                                         3
                         z   0                          2        y z       1     3
                        y  x                            1          x  0       T  mm          1
                                 (a) ˀ຋ҫܦߦॲፇ౞                            (b) ҫКܦߦॲፇ౞
                                                   图 6  微流控芯片声压图
                                         Fig. 6 Acoustic pressure map of microfluidic chip
                         0.4                                      1.0


                         0.2                                      0.5
                      ႃҹ/V  0                                   ႃҹ/V  0




                       -0.2                                      -0.5

                       -0.4                                      -1.0
                             0    5   10  15   20  25   30             0   5    10  15  20   25  30
                                        ᮠဋ/MHz                                   ᮠဋ/MHz
                                    (a) ˀ຋ҫܦߦॲፇ౞                              (b) ҫКܦߦॲፇ౞
                                                   图 7  输出端频率 -位移图
                                       Fig. 7 Frequency-displacement diagramat the output


                        0.05                                      0.05


                      ႃҹ/V  0                                   ႃҹ/V  0



                      -0.05                                      -0.05



                      -0.10                                      -0.10
                                0         500       1000                   0        500       1000
                                        ௑ᫎ/ns                                      ௑ᫎ/ns
                                    (a) ˀ຋ҫܦߦॲፇ౞                              (b) ҫКܦߦॲፇ౞
                                                   图 8  输出端时间 -电势图
                                         Fig. 8 Time-to-potential diagram at the output
                 随后,以 IDT 基板的几何中心为参考,绘制出                       右;当电势小于 0 V 时,总体降低了约 0.03 V。加入
             了接收换能器电势随时间变化的二维折线图,如                             声学微结构后,输出端的电势能量更为集中,声波的
             图 8 所示。在 0 ∼ 1000 ns 内,输出端电势的最大值                  辐射力较强,在辐射力的作用下,靶细胞便会根据自
             约为0.052 V,最小值约为−0.069 V,微流控器件表                    身体积的大小分别向压力节点移动,从而高效率地
             面添加铜柱阵列微结构后,输出端电势最大值约为                            完成了粒子聚集,提高了微流控芯片在生物医学等
             0.064 V,最小值约为−0.087 V。将图8(a)与图8(b)                相关领域的适用性。
             比较发现,当电势大于0 V时,总体提高了0.01 V左                           为得出更为明显的声场局域增强效果,将基板
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