Page 40 - 《应用声学)》2023年第5期
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                                                                                    ᫾ࡉࡏ

                                       ᣒᕳ
                                                                                    ԍႃఃྟ
                                                                             Z 
                                                                P       P t
                                                                 P t    P 
                                                                                  d   δઐࡏ
                                                                         P t  Z 
                                                                  P 
                                ᡔܦฉ૱ᑟ٨
                                                                   P t  P 
                                                                                  d 
                                                                                    ࣰᏹՌࡏ
                                                                   P        Z 
                                                                        P t
                                 ࣰᏹՌࡏ
                                                                    P t  P 
                               តڱ                                            Z   d   តڱ
                                                                    P 
                                               图 1  干耦合检测及声波传输示意图
                             Fig. 1 Schematic diagram of dry coupling detection and acoustic transmission
                                                                                              √
             式 (2) 中,σ 是接触界面的粗糙度均方根,W 是施                           干耦合层理想声阻抗为 Z =
                                                                                           ′
                                                                                          2     Z 1 Z 3 ,其中 Z 1
             加于界面的载荷,f 为超声波中心频率。当探头未                           为保护层声阻抗,Z 3 为被测材料声阻抗。考虑到干
             加载荷时,干耦合层与试块间存在空气,绝大部分                            耦合材料还要兼有一定的柔性,而现有的材料很难
             声波被反射,此时 r 23 ≈ 1。因此,干耦合剂在使                       兼顾柔性和理想声阻抗两个条件,这也是目前干耦
             用时,需要施加一定的预压力,预压载荷与界面的                            合材料制备的难点。因此,在现有柔性材料的基础
             反射系数 r 23 和回波相对幅值 A 的关系曲线如图 2                     上,通过添加纳米颗粒,从而达到兼顾柔性和声阻抗
             所示。                                               这对矛盾的目的。


                                                               2 干耦合材料制备与参数测定

                  ࣰᏹՌႍ᭧ܦԦ࠱ဋ r     ࣰᏹՌႍ᭧ܦԦ࠱ဋ         តڱअ᭧ڀฉᄱࠫࣨϙ A  W t 的掺杂物随机分散在质量分数为 1 − W t 的基底
                                                                    干耦合材料制备
                                                               2.1
                                                                   根据复合材料的力学参数模型
                                                                                               [21]
                                                                                                  ,质量分数为
                                    តڱअ᭧ڀฉᄱࠫࣨϙ
                                                               材料中时,混合后的材料密度为
                                                                          ¯ ρ =        1          ,       (3)
                                                                              W t /ρ 1 + (1 − W t )/ρ 2
                      0                         ħ              式(3) 中,ρ 1 和ρ 2 分别为掺杂物和基底材料的密度。
                                 ᣒᕳ/kPa
                                                               通过掺入密度大于基料的填料,可以增大混合物的
                图 2  干耦合界面反射系数及回波相对幅值变化
                                                               密度 ¯ρ,进而增大材料的声阻抗。
                趋 势
                                                                   研究中采用加成型室温硫化 (Room tempera-
               Fig. 2 The variation trend of reflection coefficient
                                                               ture vulcanization, RTV)硅橡胶作为基底材料。加
               and relative amplitude of echo at dry coupling in-
                                                               成型硅橡胶由 A 组分和 B 组分组成。A组分中含有
               terface
                                                               聚硅氧烷和催化剂,B 组分中含有聚硅氧烷和交联
                 从图 2 中可以看出,当预压增加到一定的值后,
                                                               剂。干耦合材料制备时将添加材料与 A组分充分混
             干耦合层与被测试件间贴合更加紧密,界面的反射
                                                               合,搅拌均匀,再加入 B 组分,与 A 组分和添加材料
             系数 r 23 趋于恒定,r 23 ≈ (Z 2 − Z 3 )/(Z 2 + Z 3 )。而
                                                               混合液充分混合,搅拌均匀后注入模具中,在真空环
             回波相对幅值A也趋于恒定,
                                                               境下静置15 min去除气泡,再在室温中静置12 h固
                          4Z 1 Z 2    4Z 2 Z 3                 化,就可得到添加型干耦合材料。具体操作流程如
                  A ≈ n           ·           e −2α 2 d 2 ,
                        (Z 1 + Z 2 ) 2  (Z 2 + Z 3 ) 2
                                                               图3所示。
             其中
                                                                   研究中制备的部分干耦合材料样品如图 4
                            4Z 0 Z 1
                                          e
                     n =            e −2α 0 d 0 −2α 1 d 1 .    所示。
                          (Z 0 + Z 1 ) 2
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