Page 83 - 《应用声学》2025年第1期
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第 44 卷 第 1 期 王君等: 声表面波芯片晶圆级封装技术 79
针对上述方案进行了样品制作,在封装晶圆表 聚合物键合胶,通过聚合物键合的方式实现 WLP;
面进行高精度通孔加工、通孔填充及填充金属的平 通过实验研究,制备了 WLP 的 SAW 器件样品;对
坦化、电镀键合层,与芯片晶圆进行晶圆键合,对完 样品进行了键合强度测试和性能测试,结果显示键
成键合后的样品进行晶圆减薄抛光及顶部电极制 合强度满足封装键合要求,封装前后性能基本一致,
作、晶圆切割后得到气密性的 WLP 的SAW 芯片样 达到了预期效果。为提高产品可靠性,对该方案进
品,所制样品实物如图 13所示。根据相关要求对样 行改进。技术方案二:通过在功能区外围制作金属
品进行气密性测试,样品满足气密性要求。 封装环的方式,利用金属共晶键合实现气密性封装,
并制作出气密性 WLP 的 SAW 样品,通过测试验证
样品的气密性,测试结果满足要求。
参 考 文 献
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本 文 提 出 了 采 用 WLP 先 进 封 装 技 术 制 备 Ni Ye, Yuan Yan, Zhang Qian, et al. Research on the reli-
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出了两种WLP方案。技术方案一:利用绝缘的有机 1–10.