Page 34 - 应用声学2019年第5期

786 2019 年 9 月

(5)降至室温测试。分别使用命令 2和命令 4 读
3 实验测试与结果分析
取相应测试区的数据并进行分析。
3.1 测试方法 3.2 测试结果与分析
为了模拟实际测井的数据存取环境，存储器的 按照上述方法，对三星、镁光、青岛智腾等公司
筛选通过不带电高温老化实验和带电完整测试两 生产的多种 Flash 存储器进行了检测，发现三星的

个步骤完成。不带电高温老化实验是指不给所有存 存储器在高温下比较可靠。在此基础上，对 28个三
储器上电，将它们放置于烤箱中加温至175 C，持续 星存储器进行了测试，现象和初步结论如下：
◦
2 h 后降温，测试加温前和降温后存储器的性能变 (1) 第一次不带电加温实验后，28 个存储器中
化，初步判断存储器是否彻底损坏。 有4 个彻底损坏，2 个有新的坏块产生。第二次不带
带电完整测试是指选择表 2 中的命令编码对存 电加温实验后，没有彻底损坏的存储器出现。因此，
储器在以下三种情况下的性能进行测试：(1) 室温 不带电高温老化实验可以有效地剔除严重不满足
下写入数据，加温到 175 C 并持续 2 h，降温后读 要求的存储器。
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取；(2)175 C 时写入数据，持续 2 h 后降至室温读 (2) 在剩余的 24 个存储器中随机挑选 5 个，进
◦
取；(3) 任意温度下实时写入数据并读取。按照以下 行了完整的带电加温测试，统计的读写操作开始出
流程，可以对一个新的 Flash 存储器进行完整的测 错温度、带 ECC 处理和不带 ECC 处理两种方式下
试，实时显示的信息如表2所示。 读取数据的错误数、错误类型以及错误位置如表 3
(1)室温下正确获取ID。如果错误，说明存储器 所示，其中CE0和CE1为每个存储器中两个片结构
彻底损坏。 的片选标志。部分存储器在加温到 150 C 后，就开
◦
(2)室温下建立初始化坏块表。 始出现页内单比特位翻转错误，且出错的块、页、列
(3)室温下测试。对表2 中的 3个分区进行读写 地址固定，未出现单页内多比特位翻转和多处错误
测试，统计芯片在室温下的出错情况。 的情况。由于 ECC 算法可以校正页内单比特位翻
(4) 加温测试。从室温到 175 C 的加温过程以 转的错误，所有存储器在175 C的高温读写实验中，
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◦
及降温过程中，使用连续读写模式进行测试；175 C 带 ECC 处理的数据读取错误数均为 0。因此，通过
◦
稳定半小时后，对单温度点随机存取区写入数据，持 ECC 算法进行温度补偿后，该款存储器可以在测井
续2 h 结束前读取数据。 要求的175 C高温环境中工作。
◦
表 3 存储器读写错误统计表
Table 3 Error statistics of memory reading and writing

错误数 错误数
编号 片选 开始出错温度 错误类型 错误位置
(无 ECC 处理) (ECC 处理)
CE0 170 C 26 0 页内单比特位翻转 一处
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1
CE1 0 0 无
CE0 0 0 无
2
CE1 0 0 无

CE0 0 0 无
3
CE1 155 C 373 0 页内单比特位翻转 三处
◦
CE0 0 0 无
4
CE1 0 0 无

CE0 0 0 无
5
CE1 150 C 2960 0 页内单比特位翻转 多处
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