Page 124 - 《应用声学》2024年第6期
P. 124
1300 2024 年 11 月
2.4 性能测试 过架桥套刻的方式制作的 SAW 芯片，可得到性能
2.4.1 片上测试 符合要求的器件，证明该方法可行。
采用探针点测的方式对所制晶圆的性能进行
测试，测试图如图 9 所示，测试得到的性能曲线如
图 10 所示。由此可见，通过架桥套刻的方式制作
的 SAW 芯片，可以实现片上测试，且对探针的规格
需求更加简单，测试得到的性能可达到预期的设计
要求。
图 11 植球示意图
Fig. 11 The picture of stud bumping
图 9 探针测试图
Fig. 9 Test diagram using probes
图 12 封装后样品
Fig. 12 Sample after packaging
图 10 性能测试曲线
Fig. 10 The curve for performance testing
2.4.2 封装后测试
对片上测试筛选出的性能合格的晶圆进行
CSP，通过植球、晶圆切割、倒装、覆膜、成品切割等
工艺得到封装后样品。图 11 为通过该架桥套刻工
图 13 性能测试曲线
艺制备的 SAW 芯片植球示意图，金属凸点个数相
Fig. 13 The curve for performance testing
比于传统工艺减少了 2 个，避免了金属凸点过多导
致的倒装互联成品率低且无法返工等问题。
3 结论
通过上述工艺制得的封装后样品如图 12所示。
对该样品进行电性能测试，测试得到的性能曲线如 本文提出了采用架桥套刻工艺制备 SAW芯片，
图13 所示。测试结果与片上测试结果相差不大，符 给出了具体设计方案，即导电桥连通内部电极和外
合设计要求，证明片上测试数据可靠。由此可见，通 部电极，通过绝缘桥墩将导电桥与汇流条隔开，实现
