Page 209 - 《应用声学》2024年第6期
P. 209

第 43 卷 第 6 期              黄庆云等: 声表面波器件在大功率作用下的热效应                                          1385


             通过计算可以得到谐振频率f sc 为29.72 MHz,后续                                                 ᛫᭧  ພए (C)
             热仿真的计算是基于模态分析的结果下进行的。                                      0                         Max 25
                 根据频域响应分析可以求解应变能,代入公                                 -100
             式 (5) 计算功率,该功率用作热源表示声波振动过
             程中的机械损耗。介电损耗产生的热量由公式 (4)                               mm -200                        25
                                                                     -300
             计算得到,并作为热量施加在IDT上。设定LiNbO 3
                                                                     -400
             材料的机械损耗因子和介电损耗因子直接关系基
                                                                     -500
             体内部的阻尼大小,从而决定着器件损耗所产生的
                                                                        -200     0      200    400 Min 25
             热量,设定压电材料的阻尼损耗因子 (详细设定情                                                mm
                                                                                 (a) t=0 s
             况可以参考文献 [18]),由此得到压电材料由损耗引                                                      ᛫᭧  ພए (C)
             起的总功耗密度大小,仿真结果如图 4 所示。该总
                                                                        0                         Max 30.06
             功耗密度将直接作为热源用于计算后续传热下温
                                                                     -100
             度变化。
                                                                    mm -200
                                                  3
                               7
                  freq(1)=2.972T10  Hz ᛫᭧  ঴ҪᏲࠛए(W/m )               -300                           30.04
                                                  Max:
                                                  5.15T10 10
                                                    T10 10           -400
                 100                                5.0
                                                    4.5              -500
                   0
                                                    4.0
                                                                        -200     0      200    400 Min 30.02
                -100                                3.5                             mm
               mm                                   3.0                          (b) t=2 s
                -200                                2.5
                                                    2.0                                     ᛫᭧  ພए (C)
                -300
                                                    1.5
                                                    1.0                 0                         Max 47.07
                -400
                                                    0.5
                                                                     -100
                -500                                0
                                                  min 0
                      -200     0      200    400                     -200
                                   mm
                                                                    mm                              47.04
                        图 4  损耗产生的总功耗密度                              -300
                 Fig. 4 Total power density generated by losses      -400
                                                                     -500
             3.2 热仿真与实验验证
                                                                        -200     0      200    400  Min 47.01
                 图5 显示谐振频率为29.72 MHz 的基体温度分                                         mm
                                                                                 (c) t=10 s
             布随时间变化序列图。由于压电效应,仿真模型从                                                          ᛫᭧  ພए (C)
             IDT 处开始升温,在热传递的作用下,器件热量逐                                                             Max 64.0
                                                                        0
             渐传向底端,使底部温度开始上升,从而整体温度
                                                                     -100
             不断升高,越靠近IDT表面温度也越高。LiNbO 3 晶
                                                                     -200
             体材料的导热系数为 38 W/m·K,可以看到在 2 s                           mm                              63.36
             时,整个器件在厚度方向上温度差为 0.04 C,随着                              -300
                                                   ◦
             时间增加,相应的温差将增大,在 20 s 时厚度方向                              -400
             上最大温度差达到 0.1 C,且温度均匀分布。如果                               -500
                                  ◦
             输入电压继续增大,在厚度为声波波长 λ SAW 的区                                 -200     0      200    400  Min 63.0
                                                                                    mm
                                               ◦                                 (d) t=20 s
             域上将产生一定温度梯度,这也给 128 YX-LiNbO 3
             带来了热电,导致奇异电场,特别是在器件的边
                                                                    图 5  基体温度分布随时间变化的仿真序列图
             缘,促进了局部缺陷的传播,容易导致器件裂片                                Fig. 5 Simulation sequence diagram of substrate
             失效。                                                  temperature distribution over time
   204   205   206   207   208   209   210   211   212   213   214