Page 210 - 《应用声学》2024年第6期
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                 启动信号源,产生激励信号,IDT 在激励信号                        结果与仿真结果偏差增大,这可能归因于器件的谐
             作用下由于逆压电效应产生SAW在基体表面传播,                           振频率随器件表面温度的升高呈线性减小。温度升
             所以器件表面开始升温,利用热电偶温度计测量输                            高,声波相速度会发生变化,引起SAW 谐振频率改
             入功率为 5.26 W (+37.21 dBm) 电极表面的温度,                 变,从而降低器件的性能,使得实验过程中器件温度
             相应的实验结果与仿真结果对比如图6(a) 所示。在                         增加减缓     [19] 。图6(b)显示t = 20 s时基于红外相机
             前 20 s 内实验结果与仿真结果基本吻合,验证了器                        拍摄后进行图像处理呈现的器件表面的三维温度
             件热效应来源于损耗机制,但随着时间进行,实验                            分布,可以看到,孔径范围内温度明显高于孔径外的
                                                               温度。当SAW传播到基体边缘,由于边缘处反射使
                       ࠄᰎፇ౧                                  得边缘处温度最高,相比于其他区域存在较大的温
                         ͌ᄾፇ౧
                                                               度梯度差。随着时间持续,表面温度继续升高,相应
                 
                                                               的温度梯度差进一步扩大,当t = 80 s时,基体表面
                                                               的三维温度分布所显示此时边缘温度达到 140 C,
                                                                                                          ◦
                ႃౝພए/C                   SAWӝ۫               相较于孔径外的表面温度,最大温度梯度差趋于稳
                 
                                                               定,达到50 C,如果继续加大输入功率,达到器件的
                                                                         ◦
                                                               功率阈值,器件将出现裂片失效。
                 
                                   SAW٨͈᛫᭧ພएѬ࣋                     通过实验结果与仿真结果的对比,验证仿真模
                                                             型的准确性,揭示器件在大功率作用下的热分布,相
                                             
                                  ௑ᫎ/s                         较于厚度方向上温度梯度,孔径方向与两侧区域存
                              (a) ͌ᄾˁࠄᰎࠫඋ
                                                               在的巨大的温度梯度差是导致大功率下器件裂片
                                                    66.90
                                                               失效的主要原因。此外,修改仿真模型参数还可以
                                                    64.06
                                                    61.22      反映出器件热效应的其他相关信息。例如修改物理
                    t/ s
                                                  58.38
                                                               场条件设置,施加电势分别设置为0 V、10 V、25 V、
                                                  55.54
                                                    52.70      50 V,其他条件保持一致。电势设置为 0 V时,表示
                  
                 ພए/C                             49.86      只存在振动阻尼引起的损耗,不存在介电损耗,仿
                                                    47.02
                                                             真 20 s 时结果如图 7 所示。从图 7 中明显可以看到,
                                                    44.18
                  
                                                    41.34      在没有介电损耗的情况下器件表面温度基本不变,
                   
                                                   38.50
                                                            但随着输入电压增加,电极表面温度急剧升高。所
                         
                                        Y⊳mm
                                                              以器件表面的热效应产生主要来源于 IDT 中的介
                      X⊳mm
                               
                                                               电损耗,随着电势增加,器件温度显著升高。换句话
                                                     150.5
                                                               说,通过控制输入电压的方法可以有效地实现预期
                                                     140.2
                    t/ s
                                                     129.9     的温度控制。
                
                                                     119.6
                                                                       200
                                                  109.3
                                                                               ພएѬ࣋
                                                     99.00
                         50 C
                                                                       160
                ພए/C                                 88.70
                
                  
                                                     78.40             120
                                                   68.10            ႃౝພए/C
                                                 57.80              80
                    
                                                  47.50
                                                                       40
                                        Y⊳mm
                      X⊳mm
                                                                      0
                                                                           ˀᏦᘽ     10 V    25 V    50 V
                    (b) ˀՏ௑҉۳̆ጚܱ฾តᄊʼ፥᛫᭧ພएѬ࣋ڏϸ                             ̮ႃ૯Ᏺ
                  图 6  电极温度的实验结果与仿真结果的对比                              图 7  不同电势下的电极温度的仿真结果
               Fig. 6 Comparison of experimental results and      Fig. 7 Simulation results of electrode temperature
               simulation results of electrode temperature        for different potentials
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