Page 218 - 《应用声学》2024年第6期

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因此缓冲电阻的阻值R B 为 阈值电压1.8 V，负串扰电压值为8.3 V，振荡时间为
1 234 ns，dv/dt为7 V/ns。
R B 6 , (8)
2.3 × C B × f s
图 8(b) 为 根 据 理 论 计 算 出 的 辅 助 电 容 为
式(8)中，f s 为开关频率。
220 nF 的实验测试图。共源电感的存在使米勒
电流在经过驱动回路进行回流时与内部寄生电容
3 实验验证
发生谐振产生了串扰振荡，可以看出振荡时间明显
3.1 栅源极串扰抑制测试 缩短，减小了低侧开关关断 dV DS /dt，V DS_L 的上升
将设计的串扰抑制电路接入驱动电路中进行 沿变缓，测得此时正串扰电压为 400 mV，负串扰
实验，图8(a) 为未加入串扰抑制电路时低侧开关的 电压为 −6 V，V DS 上升沿速度减小为 6.3 V/ns。通
栅源极和漏源极波形，在低侧开关关断时，在其栅 过实验证明，采用的串扰抑制电路可以抑制正串扰
源极电压产生了串扰，正串扰电压值为 2.4 V，超过 电压。

t (100 ns/ಫ) V GS_L (10 V/ಫ) t (50 ns/ಫ) V GS_L (10 V/ಫ)

234 ns
2.4 V
-3.3 V

-9.2 V
V DS_L (50 V/ಫ) V DS_L (50 V/ಫ)

dV DS_L
: 7 V/ns
d t

(a) ͰΟनТТல௑ళҫК˙੸ઃ҄ႃ᡹ᄊฉॎ

t (100 ns/ಫ) V GS_L (10 V/ಫ) t (50 ns/ಫ) V GS_L (10 V/ಫ)
100 ns 400 mV
-3.3 V

-6 V
V DS_L (50 V/ಫ) V DS_L (50 V/ಫ)

dV DS_L
: 6.3 V/ns
d t

(b) ႃࠔ˞220 nF௑ͰΟनТТல௑̗ၷᄊ˙੸ฉॎ
图 8 串扰抑制电路效果对比图
Fig. 8 Effect comparison diagram of crosstalk suppression circuit

3.2 漏源极电压尖峰振荡测试 的 1/10，通过实验调整缓冲电容的大小。实验测得

通过计算可以得出缓冲电容为 391.3 pF，缓冲 在半桥逆变电路中，母线电压 60 V，开关管的开关
电阻取值 15 Ω，在应用 RCD 缓冲电路时，二极管 频率为 1.05 MHz，在未接入 RCD 缓冲电路时测得
选择快恢复二极管，本设计中选取的二极管型号为 开关管的电压波形 V DS 如图 9(a) 所示，其振荡尖峰
FR157，其额定电流为 1.5 A，大于主电路器件电流 电压为142 V，振荡持续时间约为310 ns。