Page 158 - 《应用声学》2020年第3期
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             4.3 定位实验                                          为 M 3 、N 3 (即阵列间距 10 m) 时,A、B 两组泄漏点
                 上述定位实验将传感器阵列对称放置在泄漏                           定位误差明显降低,C 组有所下降但仍较高。同样
             点两侧,但实际泄漏点位置未知,无法保证传感器                            条件下,A 组定位精度高于 B、C 两组,A 组内距离
             对称放置。为模拟实际场景,仍以阵列两次布放的                            原点最远的 A 1 点定位误差最大。随着阵元间距的
             位置连线作为 y 轴、连线中点作为原点建立空间直                          减小,定位误差呈增大趋势,且孔径3 下误差明显增
             角坐标系,但泄漏点分布放置。本文仅考虑阵列前                            大。分析原因为
             向泄漏点的定位,因此实际泄漏点的分布范围应                                 (1) A 组泄漏点位于 y 轴上而 B、C 两组偏离
             为 xOz 面前半空间。考虑到管道多以直线铺设,泄                         y 轴,则 A 组各点相对于两个阵列位置的方位角 θ
                                                                                          ◦
                                                                                     ◦
                                                                             ◦
             漏点高度变化有限,并且 xOz 面前半空间关于 yOz                       分别属于 (0, 90 ) 和 (90 , 180 ) 范围且关于 θ=90       ◦
             面对称、阵列位置关于原点对称,讨论 yOz 面右                          对称,B、C 两组各点两个方位角 θ 均小于 90 且
                                                                                                          ◦
             半空间的定位情况即可推广至左半空间。因此,定                            距离原点越远两方位角大小越接近,由式 (7) 中
             位实验划定泄漏点区域为 x、y 坐标取 [0, 10 m] 范                   x、y 坐标表达式可知计算 A 组各点坐标时分母
             围、z 坐标取 −0.84 m。图 7 为阵列位置与泄漏位置                    tan θ 1 − tan θ 2 的绝对值更大,此时分子值的上下浮
             的俯视图,阵列两次布放的位置分别为 (M 1 , N 1 )、                   动所引起的误差更小,反之计算 B、C两组各点坐标
             (M 2 , N 2 )和(M 3 , N 3 ),A 1 ∼ C 3 为9个泄漏位置(每     时分母绝对值较小,则分子波动对误差影响增大;
             次实验仅一个位置发生泄漏),各点 x 和 y 坐标如                            (2) 对于 A 组各点,距离原点越远或阵列间距
                                                                                     ◦
             图 7 所示,阵列位置 z 坐标为 0,泄漏位置 z 坐标为                    越小则方位角越接近 90 ,由正切函数变化率可知
             −0.84 m。为了探究阵列孔径对定位精度的影响,还                        此时方位角 θ 的误差对定位误差的影响更大,因此
             需要改变阵列模型孔径参数进行实验。记图6(b)所                          表 3 中同一条件下 A 1 点的定位误差相对于 A 2 、A 3
             示阵列模型孔径为孔径 1,进一步缩小孔径使传感                           更大,阵列布放位置为 M 1 、N 1 (阵列间距最小) 时 A
             器1、3 与十字交点的距离为35 cm,传感器 2、4与交                     组定位误差同样更大;
             点距离为 15 cm,记为孔径 2;传感器 1、3 与交点的                        (3) 对于B、C两组,阵列布放位置为M 1 、N 1 (阵
             距离为 20 cm,传感器 2、4 与交点距离为 15 cm,记                  列间距最小) 时,各点两个方位角 θ 的差值较小,由
             为孔径3。                                             原因 (1)可知计算坐标时分子波动对误差影响较大,
                                                               扩大阵列间距则误差得以降低;
                           y
                             A 1(0, 10 m)    B 1(5 m, 10 m)     C 1(10 m, 10 m)
                                                                   (4) 阵列孔径决定空间方位计算的分别率,孔
                                                               径较小时信源方向的改变所引起的延时变化较小,
                                                               不利于互相关法对延时进行准确估计,从而导致定
                             A 2 (0, 6 m)      B 2 (5 m, 6 m)      C 2 (10 m, 6 m)
                                                               位误差增大。
                                                                   对比本文方法与现有基于 TDOA 的声源空间
                                                               定位方法。杨祥清等          [16]  使用SI-LMS算法在办公室
                             A 3 (0, 2 m)      B 3 (5 m, 2 m)      C 3 (10 m, 2 m)
                                                               环境进行语音信号定位,定位结果表明:SI-LMS 算
                           O                                   法对距离阵列 1 m 以内的近场声源定位误差小于
                                                        x
                N   N   N   M   M   M 
                                                               0.05 m,对2 ∼ 3 m 的中场声源定位误差小于0.1 m,
              (-5 m,0)  (-3 m,0)  (-1 m,0)  (1 m,0) (3 m,0) (5 m,0)
                        图 7  阵列与泄漏位置俯视图                        对 4 m 以上的远场声源定位误差则显著提高,最大
                  Fig. 7 Position of arrays and leakage points
                                                               误差可达到 0.57 m。本文方法定位结果显示:阵列
                 使用 3 种孔径的阵列,在 3 组阵列布放位置下                      布放于 M 3 、N 3 时,距离阵列或原点较近的泄漏点
             分别对 9 个泄漏位置进行定位实验,每个条件下进                          (A 3 、B 3 点) 定位误差与 SI-LMS 法基本一致,但距
             行5 次实验并计算平均定位误差。表3 为定位结果,                         离超过 4 m 且靠近 y 轴的 A 1 、A 2 、B 1 和 B 2 点定位
             对于最大的孔径 1,阵列布放位置为M 1 、N 1 (即阵列                    误差仍保持较低,而偏离y 轴的C 1 、C 2 和C 3 点定位
             间距 2 m) 时,A 组泄漏点定位精度相对较高,B、C                      误差则明显增加。相较于现有适用于近场声源三维
             两组明显下降;阵列布放位置为 M 2 、N 2 (即阵列间                     定位的 TDOA 法,本文方法对 y 轴附近较远距离的
             距 6 m) 时,整体定位误差有所降低;阵列布放位置                        泄漏点定位精度有较明显提升。
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