Page 97 - 《应用声学》2021年第2期
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第 40 卷 第 2 期                 宋明鑫等: 声表面波器件变频快速模拟方法                                           265


                 根据模型中节点坐标的位置,将 U 划分成                          分析以及数据传输过程降低了 HCT-FEM 的模拟
             [U L , U I , U R , ϕ] 四部分。其中,[U L , U I , U R ]分别表  效率。
             示单元 FEM 模型左边界、内部、右边界上所包含的
             节点位移与电势自由度;ϕ为电极区域的节点电势。                           2 变频时的快速模拟方法
             模型的系统矩阵A做相应的重排                [7] :
                                                                   由 上 述 有 限 元 模 拟 方 法 可 知, 系 统 矩 阵
                                             
                                                               A = (K − ω M) 的每一个矩阵元都与波长有关,
                                                                           2
                 A 11 A 12 A 13 A 14  U L      τ L
                                             
                                                         因此,当波长 (频率) 改变时,需要对每一波长分别
                A 21 A 22 A 23 A 24   U I     0 
                                        =      ,  (5)
                                                         进行模拟和计算,在有限元计算中,模型的单元网格
                A 31 A 32 A 33 A 34   U R    τ R 
                                                               数很大,因而系统矩阵的维数也很大,导致声表面波
                                             
                 A 41 A 42 A 43 A 44  ϕ         q
                                                               器件模拟的计算时间很长,在实际中并不方便。为
             其中,A ij 是分块处理后的各子矩阵,τ L 、τ R 是左右                  此,本文提出了一种计算不同波长时的声表面波器
             边界上的节点应力与电荷值,q 为电极电荷。由模型                          件变频快速模拟方法。
             内部应力与电荷平衡状态可知,U I 对应的线性方程                             IDT 的指条间距决定了基片中激发出的声表
             组等式为零。即                                           面波波长,是SAW器件优化设计中的重要参数。在

                U I = −A −1 (A 21 U L + A 23 U R + A 24 ϕ).  (6)  选定基片的压电材料以后,不同指条间距的 IDT 实
                         22
                                                               现不同频率的声波谐振            [12] 。依据 HCT-FEM 的基
             将式 (6) 代入式 (5),消去内部自由度 U I 对应的方                   本原理,首先建立如图2所示SAW 器件的准三维单
             程式,获得新的模型边界方程组,其系数矩阵称为边                           电极模型,并进行网格划分。其结构参数如表 1 所
             界矩阵   [7] ,即B 矩阵:
                                                               示。其中,λ为波长,其余参数均为λ的倍数。图2中
                                            
                                                               顶端黄色区域表示金属电极,蓝色区域为压电基片,
                     B 11 B 12 B 13  U L      τ L
                                            
                                                  ,
                                                  (7)    基片末端设置完美匹配层 (Perfect matched layer,
                    B 21 B 22 B 23  U R  = τ R
                                                               PML)。
                                            
                                      ϕ        q
                     B 31 B 32 B 33
             其中,边界矩阵的各元素由系统矩阵的各分块子矩
             阵A ij 决定,表达式为
                       B 11 = A 11 − A 12 A −1 A 21 ,
                                         22
                       B 12 = A 13 − A 12 A −1 A 23 ,
                                         22
                       B 13 = A 14 − A 12 A −1 A 24 ,
                                         22
                                         −1
                       B 21 = A 31 − A 32 A 22  A 21 ,
                       B 22 = A 33 − A 32 A −1 A 23 ,   (8)                       Z
                                         22
                       B 23 = A 34 − A 32 A −1 A 24 ,                       Y
                                         22
                                                                                     X
                                         −1
                       B 31 = A 41 − A 42 A  A 21 ,
                                         22
                       B 32 = A 43 − A 42 A −1 A 23 ,                 图 2  SAW 谐振器单根电极的准三维模型
                                         22
                                                                  Fig. 2 Quasi three dimensional model of a single
                       B 33 = A 44 − A 42 A −1 A 24 .
                                         22                       electrode of SAW resonator
                 通过边界矩阵的级联实现 SAW 器件的快速模
                                                                       表 1   单根电极单元的几何结构参数
             拟  [11] 。从以上 HCT-FEM的基本算法流程可知,不
                                                                  Table 1 Geometric parameter setting in
             同的声表面波波长与系统矩阵 A 之间存在一一对
                                                                  reference unit
             应的关系。在实际器件的模拟中,需要根据不同的
             波长,建立相应的基本单元 FEM 模型。构建出单                             名称     波长     膜厚    指宽     基片厚度     PML
             元的系统矩阵后通过分块矩阵求逆获得最终的单                                参数      λ    0.08λ  0.5λ     8λ      2λ
             元边界矩阵。当波长优化调整时,频繁的单元建模、
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