Page 109 - 《应用声学》2023年第6期
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第 42 卷 第 6 期        许志强等: 融合插值点优化的多项式结构宽带波束形成器设计方法                                         1219

                                                                                                        H
                 以上的分析表明,现有的多项式结构波束形成                              {      ∂g(ψ, f, θ)  [     ∂g(ψ, f, θ)  ] }
                                                                                         T
                                                                      T
                                                                 = w (f)            + w (f)
             器设计存在主瓣指向偏差,且指向偏差最大的地方                                           ∂θ                 ∂θ         θ=ψ
             集中于调向范围的边缘,对应的 DI 一般也是最差                                 [                ]
                                                                         T
             的。特别对于低阶的多项式结构,问题更为突出。虽                             = 2Re w (f)  ∂g(ψ, f, θ)
                                                                                 ∂θ       θ=ψ
             然增大多项式的阶数可以改善波束形成器性能,但
                                                                      {       [              ]}
             在实际应用中,增大多项式阶数意味着滤波器个数                                      T     ∂d(f, θ)
                                                                 = 2Re w (f)          ⊗s(D)        = 0, (10)
             增加,硬件实现复杂度相应变大。为解决这一问题,                                             ∂θ             θ=ψ
             下文我们将提出基于插值点优化的多项式结构波                             式 (10) 中,Re[·] 代表取实部。 为表示方便, 令
             束形成器设计方法。                                         ∂d(f, θ)/∂θ| θ=ψ , h(f, ψ),根据式 (2) 中 d(f, θ) 的
                                                               定义,有
             3 基于插值点优化的多项式结构波束形成                                         [               −j2πfd 0 cos ψ/c
                器设计                                             h(f, ψ) = (j2πfd 0 sin ψ/c)e         , · · · ,
                                                                                                          ]
                                                                         (j2πfd K−1 sin ψ/c)e −j2πfd K−1 cos ψ/c T .
             3.1 空间导数约束的引入
                                                               则由式 (10),θ = ψ 处的空间导数约束条件可
                 通过第 2 节的分析可知,由于有限次多项式插
                                                               表示为
             值所带来的截断误差,将导致多项式结构宽带波束
                                                                         {  T                   }
                                                                       Re w (f) [h(f, ψ) ⊗ s(D)] = 0.    (11)
             形成器的主瓣指向出现偏差,进而会造成阵列的DI
             下降。针对这一问题,本节引入阵列响应的空间导                            3.2  优化问题的构建
             数约束,以减小多项式结构宽带波束形成器的主瓣                                为减小主瓣指向偏差,在多项式结构宽带波束
             指向偏差。注意到,对于给定的阵列响应,其主瓣指                           形成器优化设计问题中,引入上述插值点处的空间
             向位置对应于阵列响应幅值的最大值点。因此,根                            导数约束。相应的优化问题可以表述为
             据式 (1),若主瓣实际指向与期望指向一致,那么阵                               I−1 L−1
                                                                     ∑ ∑                             2
             列响应幅值平方关于角度 θ 的空间导数在期望角度                            min        |P(ψ i , f q , θ l )−P d (ψ i , f q , θ l )| , (12a)
                                                                 w(f q )
             ψ 上应当为零,即在θ = ψ 处满足如下条件:                               i=0 l=0
                                                                       T
                                                                    w (f q )g(ψ i , f q , ψ i ) = 1,
                                                                   
                                     2                            
                         ∂ |P(ψ, f, θ)|                           
                                                                   
                                         = 0.          (8)        
                              ∂θ                                               i = 0, · · · , I − 1,  (12b)
                                                                   
                                      θ=ψ                          
                                                                   
                                                                   
                                                                        T               2
                                                                    |w (f q )g(ψ i , f q , ψ i )|
                 考虑到式(2),有                                                               2  > γ,
                                                                   
                                                                         T
                                                                s.t.  ∥w (f q ) [I K ⊗ s(D)]∥
                              2       T            2             

                  ∂ |P(ψ, f, θ)|  ∂ w (f)g(ψ, f, θ)                            i = 0, · · · , I − 1,  (12c)
                                                                   
                                =                                  
                                                                   
                                                                   
                       ∂θ                 ∂θ                           {  T                     }
                                                                   
                                                                   
                                    H
                      T
                                              ∗
                  ∂[w (f)g(ψ, f, θ)g (ψ, f, θ)w (f)]                Re w (f q ) [h(f q , ψ i ) ⊗ s(D)] = 0,
                                                                   
                                                                   
                =                                                  
                                                                   
                                 ∂θ                                             i = 0, I − 1.          (12d)
                        ∂g(ψ, f, θ)  H
                    T
                                              ∗
                = w (f)           g (ψ, f, θ)w (f)                 需要说明的是,优化问题 (12) 中,对于施加的
                            ∂θ
                                      H
                                   ∂g (ψ, f, θ)                插值点处的空间导数约束式 (12d),仅约束了位于
                      T
                                                ∗
                   + w (f)g(ψ, f, θ)          w (f),    (9)
                                       ∂θ                      调向范围边缘的插值点,即ψ i (i = 0, I − 1),而非全
                       H
             式(9)中,[·] 代表共轭转置,[·] 代表共轭。将式(9)                   部的插值点。主要原因包括两个方面:(1) 由上文分
                                        ∗
             代入式(8),并考虑到期望方向上需满足阵列响应的                          析可知,调向范围边缘的插值点对应的主瓣指向偏
                              T
             无失真约束条件 w (f)g(ψ, f, ψ)=1,式 (8) 可进一               差较大,而中间的插值点对应的主瓣指向偏差相对
             步简化为                                              较小。因此,约束边缘处的插值点可有效抑制整个
                            2                                 调向范围内的主瓣指向误差峰值。(2) 研究发现,当
                 ∂|P(ψ, f, θ)|

                      ∂θ                                      约束全部的插值点时,将导致阵列的DI有较大的损
                              θ=ψ
                [                     H             ]         失,而仅约束调向范围边缘的插值点则可以取得较
                        ∂g(ψ, f, θ)  ∂g (ψ, f, θ)
                   T
                                                 ∗
              = w (f)             +            w (f)
                           ∂θ           ∂θ                    好的折中。
                                                      θ=ψ
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